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제목 [Kelda Park] AP Chemistry from Samuel Roh
Lesson 2: Chemical bonding (6) 16
작성자 shi*** 등록일 2019-11-11 오전 11:24:57

안녕하세요. 인강 듣던 중 잠시 이해되지 않는 부분이 있어 질문 올립니다.


Q1. Band가 orbital들이 stack된 상태라고 하셨는데 outer-most shell을 뜻하는 것인가요?


Q2. conduction band가 어떻게 생기는지 이해가 되지 않아 atoms들이 stack된 것이 conduction band의 생성 요인이 되는지 궁금합니다.


Q3. 교제 38쪽에 보면 acceptor donor는 one less electron을 지닌 element을 첨가하여 electron이 없어져야 하는데, 어째서 (b) 그림에 acceptor doping이 electron을 donor doping과 같이 electron이 valance band에 나와있는지 궁금합니다.

2019-11-14 오전 12:34:52

안녕하세요 켈다샘입니다 ^^

샘이 강의에서 이야기했듯 

semiconductor 의 경우는 다소 AP 의 범위를 넘어섭니다 

그러나 n-type과 p-type 은 언급해야 할 필요가 있어 언급했습니다 (시험에 거의 나오지 않는다고 봐야합니다) 

 

Band theory 의 경우 high school 내용을 완전히 넘습니다 

사실 전혀 모르셔도 되는 부분이나

n-type, p-type 을 설명하기 전에 간략하게 언급했을 뿐입니다

그래서 되도록 focus 하지 않았으면 합니다 ^^

 

1. Band 라는 것은 기본적으로 MO theory 를 배우고 나서 이해할수 있습니다 

그런데 outer most shell 만이 아니라 정말 atomic orbital 들이 simply stack up 된 개념으로서 

Empty MOs 는 outer most shell 과 상관이 있을 것이고 

Filled MOs는 inner shell + outer most shell 중 채워진 부분 과 상관이 있습니다. 

 

2. conduction band 가 어떻게 생기는지 이해되지 않는 것이 당연합니다 

샘이 영상에서도 거의 설명하지 않았습니다 ^^

다만 metal 의 경우에 conduction band 라는 것이 있고 

그 band의 vacancy 를 이용해 electron이 moving around 하면서 conduction 을 만들어낼 수 있다

정도로만 언급했습니다. 

 

3. acceptor donor 라는 말은 없고 

acceptor doping 또는 donor doping 입니다 

one less electron 을 지닌 element 를 첨가한 경우가 boron 을 첨가한 경우 - p-type semiconductor 이며 electron 이 없어진 것을 구멍(holes)으로 표현했습니다 

 

그림에서 역시 Ev(valence band) 라고 되어있는 영역에 vacancies 인 구멍들이 보이고요 

그 바로 위인 Ea(accetor를 의미) 에 electron 이 additional 하게 있어서 그려진 것이 아니고요 

octet 을 채울수 없어 불안정해진 some of the silicon atom의 electron 들이 excited 되고 (by acceptor level) 

그에 의해 valence band 에 vacancies 가 생겨서 

(conduction band 가 아닌데도) 

valence band 안에서 electron flow 가 생길 수 있게 된다 

라는 뜻입니다 

 

이해가 되실까요?

그러나 이모든 내용이 AP exam 과는 크게 관련은 없답니다 ^^ 너무 걱정하지 않으셔도 됩니다. 

 

공부를 더 해보고 싶으신 것 같아 

관련자료를 attach 합니다~

 

그럼 화이팅하세요 

 

 

 

 

첨부파일 1 : semiconductor.pdf
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